加賀東芝エレクトロニクス株式会社
ウェーハ表面への半導体素子形成に関する技術(装置導入・立上げ、歩留向上のためのプロセス改善・最適化、コスト削減)を実行する業務をお任せします。
・成膜技術(プラズマ/常圧/減圧/有機金属などのCVD)
・ドライエッチング技術(RIE、CDE、アッシャーなど)
・イオン注入(インプラ)技術(枚葉/バッチインプラなど)
・ウェーハ表面素子形成ユニットプロセス技術(活性化技術、酸化/拡散/アニール技術、メタル成膜技術、ウェットエッチング技術、リソグラフィ技術など)
・ウェーハ裏面素子形成技術(ウェーハサポート、保護テープ貼付/剥離、レーザアニール、裏面メタル成膜、バックサイドグラインダ、ダイシング、ウェーハめっきプロセスなど)
募集背景（詳細）：加賀東芝エレクトロニクス株式会社構内に、300mmウエハー対応製造ラインを導入し、生産能力を増強するため
私たちはディスクリート半導体を生産しています。電気回路基板向け小信号デバイスやパワーデバイスなど、ディスクリート半導体の主要製造拠点です。ウエハから完成品まで一貫して手掛け、数千種類のディスクリート半導体の量産も行っています。地球環境や地域社会との共生を図り、グループの成長エンジンとして今後も躍進を続けていきます。